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| 品牌 | 其他品牌 | 材質 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 驅動方式 | 其他 |
光發射機由輸入接口、光源、驅動電路、監控電路、控制電路等構成，其核心是光源及驅動電路。在數字通信中，輸入電路將輸入的信號（如PCM脈沖）進行整形，變換成適于線路傳送的碼型后通過驅動電路光源，或者送到光調制器調制光源輸出的連續光波。為了穩定輸出的平均光功率和工作溫度，通常要設置一個自動的溫度控制及功率控制電路。
調制方式通常分為兩大類，即模擬調制和數字調制。
EMG LIC1075/11光源發射器
EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發射器
EMG LIC770/01 光源發射器
EMG LIC1075/01 光源發射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對中光源發射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥
EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥
EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/4/100/6伺服閥
EMG SV1-10/8/100/6伺服閥
EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥
EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6
EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6
EMG傳感器CCD pro-5000
EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥
EMG SV1-10/16/315/6伺服閥
SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器
伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P
傳感器 SMI 1-53
BMI4/60/80 傳感器
EMG SV1-10/48/315/6伺服閥
EMG SV1-10/32/100/6伺服閥
EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723
EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723
固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在軍事和國民經濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。
EMG LS13.01測量光電傳感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器
EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG
LS14.01 EMG 測量光電傳感器
EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高頻報警光發射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 對中光源發射器
EMG LID2-300.2C 對中光源發射器
EMG LLS 1075 線性光源發射器
EMG LLS 1075/01 線性光源發射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 線性光源發射器
EMG LLS 675/01 線性光源發射器
EMG 線性光源發射器 LLS875/01
EMG對中光源發射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 線性光源發射器
EMG LIC1075/11光源發射器
EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發射器
EMG LIC770/01 光源發射器
EMG LIC1075/01 光源發射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對中光源發射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年，英國W·史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。
工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數大,樣品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。
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